半導体製造プロセスにおいてシリコンウェーハの表面を平坦化する手法として、化学機械研磨（CMP）が使われています。
この手法は、ウェーハをキャリアと呼ばれる部材で保持し、化学物質と砥粒を含んだスラリーを流しながら、ウェーハと研磨パッドを接触、回転させることによりウェーハを平坦化します。この時に使用されるCMP研磨スラリー内の粗大粒子（汚染物質）は、欠陥を引き起こし、製造歩留まりを低下させる可能性があります。
このアプリケーションノートでは、Total Holographic Characterization (THC)法を搭載したxSightを用いて、研磨後のCMPスラリーに含まれるスラリー凝集粒子と、研磨パッドから発生するデブリ（破片）を識別し、各々を定量する手法を紹介しています。汚染粒子の組成を識別することは、その発生源を特定して除去し、歩留まりを向上させ、製造コストを削減する上で重要です。
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参考論文（オープンアクセス；英語）
Spheryx Inc.とApplied Materials Inc.の共著
Detection and Characterization of CMP Pad Debris in Polishing Slurries Using Total Holographic Characterization - IOPscience
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